基于第一性原理计算的 GaAs 中应变诱导的导带自旋分裂
材料科学
2009-07-21 v2
摘要
我们利用最近开发的自洽 近似，对 [110] 应变下 GaAs 中的导带自旋分裂进行了第一性原理计算。自旋 - 轨道相互作用被视为对标量相对论哈密顿量的微扰。这是首次基于准粒子方法对形变下的导带自旋分裂进行计算；由于自洽 方案能准确复现相关能带参数，预计它将是自旋分裂的可靠预测工具。我们还讨论了 [110] 应变下的自旋弛豫时间，并表明其表现出面内各向异性，可利用这一特性在实验上获得导带自旋分裂的大小和符号。
引用
@article{arxiv.0806.2295,
title = {Strain-Induced Conduction Band Spin Splitting in GaAs from First Principles Calculations},
author = {Athanasios N. Chantis and Manuel Cardona and Niels E. Christensen and Darryl L. Smith and Mark van Schilfgaarde and Takao Kotani and Axel Svane and Robert C. Albers},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2295},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures, 1 table