GaAs(110)上铋链中自旋轨道诱导的巨大自旋分裂
介观与纳米尺度物理
2015-08-11 v2
摘要
寻找具有巨大Rashba型自旋分裂的一维电子系统对于自旋输运的应用十分重要。此处我们基于第一性原理密度泛函理论计算报道，在异质GaAs(110)表面上形成的Bi锯齿链具有表面态的巨大自旋分裂。这一巨大自旋分裂被揭示源于自旋轨道耦合(SOC)和电偶极相互作用，它们被以下因素显著增强：(i) 由于强SOC诱导的Bi px、py和pz轨道杂化导致的非对称表面电荷分布，以及 (ii) 两个在几何和电子上不等价的与Ga和As原子成键的Bi原子所产生的大面外和面内电势梯度。结果证明了Bi/GaAs(110)界面系统的面内和面外不对称性在产生具有面内和面外自旋分量的巨大自旋分裂中的重要意义。
引用
@article{arxiv.1506.04798,
title = {Giant Spin-Orbit-Induced Spin Splitting in Bi Chains on GaAs(110)},
author = {Hyun-Jung Kim and Jun-Hyung Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.04798},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures