应变控制单层 WS2 导带中的自旋分裂
强关联电子
2016-10-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
单层 WS2 (ML) 导带底 (CBM) 产生的自旋分裂能带在自旋 - 谷耦合电子学等新型自旋轨道现象中起着重要作用。然而，应变的施加会强烈改变 WS2 ML 的电子性质，预计这将显著影响自旋分裂能带的特性。在此，通过基于密度泛函理论的全相对论第一性原理计算，我们表明在 CBM 观察到的显著自旋分裂能带可以通过施加双轴应变进行有效控制和调节。我们还发现，这些自旋分裂能诱导出自旋纹理，在第一布里渊区的 K 点和 Q 点及其时间反演点之间表现出完全相反方向的平面外自旋极化。我们的研究阐明了应变在 WS2 ML 自旋轨道耦合中的重要作用，这对设计未来自旋电子器件具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1607.07566,
title = {Strain-controlled spin splitting in the conduction band of monolayer WS2},
author = {Moh. Adhib Ulil Absor and Hiroki Kotaka and Fumiyuki Ishii and Mineo Saito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07566},
year = {2016}
}
备注
4 Figures