多层 MoS2 中价带分裂的本质
材料科学
2015-09-22 v1
摘要
理解价带分裂的起源十分重要，因为它支配着少层 MoS2 中独特的自旋与谷物理。利用第一性原理方法，我们探究了自旋轨道耦合与层间耦合对少层 MoS2 的影响。研究发现，层内自旋轨道耦合对价带在 K 点的分裂起主要贡献。在双层 MoS2 中，层间耦合导致由层内自旋轨道耦合诱导的分裂态能隙变宽。块体 MoS_2 在 K 点的价带分裂可遵循此模型。我们还发现了三层 MoS2 中层间自旋轨道耦合的效应。此外，发现层间自旋轨道耦合在压力下增强，并导致 K 点分裂价带的主能隙减小。
引用
@article{arxiv.1509.06118,
title = {Nature of Valance Band Splitting on Multilayer MoS2},
author = {Xiaofeng Fan and W. T. Zheng and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06118},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures