单层 MoS_{2} 中库仑相互作用导致的导带和费米速度大自旋分裂
介观与纳米尺度物理
2014-12-25 v2
摘要
我们利用有效低能模型研究了库仑相互作用对单层过渡金属二硫族化合物半导体低能能带结构的影响。我们展示了在 MoS 中，由于自旋 - 轨道相互作用诱导的两个自旋投影能隙的差异，如何产生大的导带自旋分裂和自旋依赖的费米速度。所发现的导带和费米速度自旋分裂与实验中测得的激子峰 A、B 的光学吸收能量相符。
引用
@article{arxiv.1403.5283,
title = {Large conduction band and Fermi velocity spin splittings due to Coulomb interactions in single-layer MoS_{2}},
author = {Yago Ferreiros and Alberto Cortijo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.5283},
year = {2014}
}
备注
Revised version, as published in PRB