单层 MoS2 中自旋 - 轨道耦合介导的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2013-06-18 v2
摘要
我们在双带有效哈密顿量框架下研究了单层 MoS2 中的谷内自旋 - 轨道耦合介导的自旋弛豫。考虑了价带的本征自旋分裂以及由于面外反演对称性破缺引起的类 Rashba 耦合。我们发现，在空穴掺杂机制下，面外自旋弛豫效率不高，因为价带的自旋分裂倾向于稳定该方向的自旋极化。我们获得的自旋寿命大于纳秒量级，这与最近的谷极化实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1303.5860,
title = {Spin-Orbit mediated spin relaxation in monolayer MoS2},
author = {H. Ochoa and R. Roldán},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.5860},
year = {2013}
}
备注
final version, 9 pages, 5 figures