亚能隙磁光光谱探测铁磁半导体 Ga1-xMnxAs 的电子结构
强关联电子
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
我们利用红外波段的法拉第和克尔效应光谱，研究 Ga1-xMnxAs 在费米能级附近的电子结构。这种典型稀磁铁磁半导体的能带结构一直存在争议，部分源于先前对非偏振红外吸收的测量及其唯象杂质带解释。我们研究的红外磁光效应直接源于载流子能带的自旋劈裂以及自旋-轨道耦合引起的手性不对称性。与非偏振吸收不同，这些效应与铁磁性密切相关，并且其解释在相关能带态的轨道特性方面受到更多的微观约束。我们表明，以 As p-轨道特性为主、并通过动力学交换与 Mn 局域矩耦合的无序价带常规理论，能够半定量地解释所测红外磁光光谱的整体特征。
引用
@article{arxiv.0907.0207,
title = {Electronic structure of ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs probed by sub-gap magneto-optical spectroscopy},
author = {G. Acbas and M. -H. Kim and M. Cukr and V. Novak and M. A. Scarpulla and O. D. Dubon and T. Jungwirth and Jairo Sinova and J. Cerne},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.0207},
year = {2015}
}
备注
4 pages 3 figures