PdGa 的费米面与磁击穿
强关联电子
2025-04-18 v1 材料科学
摘要
我们通过 de Haas-van Alphen 效应和 Shubnikov-de Haas 效应研究了手性半金属 PdGa 的电子结构。我们发现 PdGa 的费米面包含多个由自旋轨道耦合劈裂的口袋。我们将实验结果与从头算计算的能带结构进行了比较。我们证明，通过考虑布里渊区边界上的节面简并以及各个费米面口袋之间的磁击穿，可以完全理解量子振荡谱。我们扩展了传统分析方法，在考虑极值击穿轨迹可能远离单带轨道平面的情况下，显式计算了磁击穿频率和回旋质量。我们进一步分析了由涉及围绕费米面多次旋转的击穿轨迹引起的高频贡献，这些贡献不同于传统的谐波频率。我们的结果突显了 PdGa 整个能带结构中自旋轨道耦合诱导能隙的存在、布里渊区边界上节面的相关性，以及对磁击穿进行全面分析的必要性。
引用
@article{arxiv.2504.12379,
title = {Fermi surface and magnetic breakdown in PdGa},
author = {Nico Huber and Ivan Volkau and Alexander Engelhardt and Ilya Sheikin and Andreas Bauer and Christian Pfleiderer and Marc A. Wilde},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.12379},
year = {2025}
}