单轴应力对 NbP 电子能带结构的影响
材料科学
2020-07-22 v1
摘要
Weyl 半金属 NbP 表现出极小的费米面，由两个电子袋和两个空穴袋组成，其在 空间中的四重简并性与底层四方晶格的旋转对称性相关。通过施加单轴应力，晶体对称性可被降低，从而依次导致费米面袋的简并解除。当磁场沿四方晶格的 轴对齐时，这反映为 Shubnikov-de Haas 频率的分裂。在本研究中，我们给出了单晶 NbP 样品在单轴拉伸下的 Shubnikov-de Haas 振荡测量，并结合最先进的电子能带结构计算。我们的结果显示计算与实验确定的 Shubnikov-de Haas 频率在定性上一致，证明了引入应变时能带结构计算的鲁棒性。此外，我们预测 Weyl 点随单轴拉伸增加显著移动，沿 轴仅 0.8% 应变即可有效调谐至费米能级。
引用
@article{arxiv.2007.00963,
title = {Effect of uniaxial stress on the electronic band structure of NbP},
author = {Clemens Schindler and Jonathan Noky and Marcus Schmidt and Claudia Felser and Jochen Wosnitza and Johannes Gooth},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.00963},
year = {2020}
}
备注
8 figures