NbAs中拓扑平庸电子与非平庸空穴间的电子-空穴补偿效应

Yongkang Luo; N. J. Ghimire; M. Wartenbe; Hongchul Choi; M. Neupane; R. D. McDonald; E. D. Bauer; Jianxin Zhu; J. D. Thompson; F. Ronning

doi:10.1103/PhysRevB.92.205134

NbAs中拓扑平庸电子与非平庸空穴间的电子-空穴补偿效应

强关联电子 2015-12-03 v3 材料科学量子气体

作者: Yongkang Luo , N. J. Ghimire , M. Wartenbe , Hongchul Choi , M. Neupane , R. D. McDonald , E. D. Bauer , Jianxin Zhu , J. D. Thompson , F. Ronning

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摘要

通过角分辨Shubnikov-de Haas (SdH)量子振荡测量，我们确定了NbAs（一种Weyl半金属候选材料）的费米面拓扑。SdH振荡由两个频率组成，对应于两个费米面极值：20.8 T ( $\alpha$ -pocket) 和 15.6 T ( $\beta$ -pocket)。包括朗道扇形图在内的分析表明， $\beta$ -pocket具有 $\pi$ 的Berry相位和较小的有效质量 $\sim$ 0.033 $m_0$ ，表明动量空间中的非平庸拓扑；而 $\alpha$ -pocket具有平庸的Berry相位0和较重的有效质量 $\sim$ 0.066 $m_0$ 。从有效质量和 $\beta$ -pocket频率我们确定Weyl节点距化学势110.5 meV。本文讨论了该系统中的一种新颖电子-空穴补偿效应，并探讨其对磁输运性质的影响。还讨论了NbAs与其他单磷族Weyl半金属之间的区别。

关键词

Weyl半金属 NbAs Shubnikov-de Haas振荡费米面 Berry相位电子-空穴补偿磁输运

引用

@article{arxiv.1506.01751,
  title  = {Electron-hole compensation effect between topologically trivial electrons and nontrivial holes in NbAs},
  author = {Yongkang Luo and N. J. Ghimire and M. Wartenbe and Hongchul Choi and M. Neupane and R. D. McDonald and E. D. Bauer and Jianxin Zhu and J. D. Thompson and F. Ronning},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01751},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 6 figures, 1 table

NbAs中拓扑平庸电子与非平庸空穴间的电子-空穴补偿效应

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