II型Weyl半金属候选材料NbIrTe$_{4}$的体费米面

最近，通过第一性原理计算，提出了一类新的层状过渡金属四硫族化合物对应于一个新的II型Weyl半金属家族，其在块体以及单层极限下均具有引人瞩目的拓扑性质。在本文中，我们给出了II型Weyl半金属候选材料 NbIrTe$_{4}$ 在高磁场下的 Shubnikov-de Haas (SdH) 和 de Haas-van Alphen 效应测量。我们发现观测到的费米面极值截面积的角依赖性与我们的 DFT 计算吻合良好，支持了该材料中II型Weyl点的存在。尽管我们在高达 35 T 的磁场下观察到 NbIrTe$_{4}$ 中存在大而未饱和的磁电阻，但霍尔效应测量表明 NbIrTe$_{4}$ 并非补偿半金属。横向磁电阻显示出四重角依赖性，类似于在节点线半金属中观察到的所谓蝴蝶磁电阻。然而，我们得出结论：其磁场及这种非常规角依赖性由费米面的地形以及由此产生的有效质量和载流子迁移率各向异性所主导。