GaN/AlGaN/GaN 异质结构中的单极垂直输运
介观与纳米尺度物理
2013-12-12 v1 材料科学
摘要
在本信中，我们报道了 c 面 GaN/AlGaN/GaN 异质结构中的单极垂直输运特性。研究发现，具有随机合金势垒的异质结构中的垂直电流与位错密度和异质结构势垒高度无关，且显著高于理论估计值。我们提出，由三元 AlGaN 中随机合金涨落引起的基于渗流的输运是主导输运机制，并通过实验予以证实：非随机或数字式 AlGaN 合金以及极化工程化的二元 GaN 势垒可以消除渗流输运并显著降低漏电流。此处提出的对垂直输运的理解及有效控制方法将对 III 族氮化物单极垂直器件产生重大影响。
引用
@article{arxiv.1302.3942,
title = {Unipolar Vertical Transport in GaN/AlGaN/GaN Heterostructures},
author = {D. N. Nath and P. S. Park and Z. C. Yang and S. Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3942},
year = {2013}
}