无意取向双壁GaAs-Al$_x$Ga$_{1-x}$As异质结构中的电子散射

I. Gomez; E. Diez; F. Dominguez-Adame; P. Orellana

无意取向双壁GaAs-Al$_x$Ga$_{1-x}$As异质结构中的电子散射

无序系统与神经网络 2007-05-23 v1

作者: I. Gomez , E. Diez , F. Dominguez-Adame , P. Orellana

摘要

我们提出了一种新模型来计算垂直传输特性，如电导和电流，针对无意取向的双壁GaAs-Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As异质结构。无序来源于异质界面处的界面粗糙度（横向无序）以及垫层中Al摩尔分数在空间上的不均匀性（组成无序）。横向和组成无序都破坏沿横向方向的平移对称性，因此电子可以在生长方向上发生散射。该模型正确描述了由于这些弹性散射事件导致的通道混合。特别地，在现实的无序程度下，我们发现组成无序对传输特性的影响可以忽略不计，而与横向无序的影响相比。

关键词

电子散射 GaAs-AlGaAs异质结构界面粗糙度组成无序电导

引用

@article{arxiv.cond-mat/0112216,
  title  = {Electron scattering on disordered double barrier GaAs-Al$_x$Ga$_{1-x}$As heterostructures},
  author = {I. Gomez and E. Diez and F. Dominguez-Adame and P. Orellana},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0112216},
  year   = {2007}
}

备注

19 pages, 8 figures

无意取向双壁GaAs-Al$_x$Ga$_{1-x}$As异质结构中的电子散射

摘要

关键词

引用

备注

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