低迁移率石墨烯/六方氮化硼异质结构中的电荷输运与电子-空穴不对称性

石墨烯/六方氮化硼（G/$h$-BN）异质结构为开发纳米电子器件以及探索周期超晶格势调制下石墨烯中的关联态提供了优异平台。在此，我们报道了近 $0^{\circ}$ 扭转 G/$h$-BN 异质结构的输运测量。所研究的异质结构通过干法转移和退火工艺制备，处于低迁移率 regime（在 1.9 K 时约为 $3000~\mathrm{cm}^{2}\mathrm{V}^{-1}\mathrm{s}^{-1}$）。在异质结构的空穴输运侧观察到复制狄拉克谱和霍夫施塔特蝴蝶谱，而在电子输运侧未观察到。我们将观测到的电子-空穴不对称性归因于导带与价带中开启能隙之间的巨大差异，以及低迁移率 G/$h$-BN 异质结构电子输运侧带间电导贡献的强烈增强。我们还表明，中心狄拉克点和空穴支次级狄拉克点处开启的能隙较大，表明我们的 G/$h$-BN 异质结构中存在强石墨烯-衬底相互作用和电子-电子相互作用。我们的结果为理解 G/$h$-BN 异质结构中的输运机制提供了有益的见解。