表征石墨烯纳米器件中的波函数：氮化硼衬底上超短石墨烯缩颈处的电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-01-30 v1
摘要
我们展示了在六方氮化硼衬底上短而窄 (30x30 nm) 的单层石墨烯缩颈处的电子输运测量结果。虽然对库仑阻塞的一般观察与早期工作一致，但细节并非如此：我们表明电荷局域化的面积可能显著大于缩颈的面积，这表明负责库仑阻塞的局域态泄漏到了石墨烯体相中。然而，六方氮化硼上石墨烯的高体相迁移率似乎与观察到库仑阻塞所需的短体相局域长度不一致。为了解释这些发现，电荷必须主要局域在器件不完美的边缘，并沿缩颈外的边缘延伸。为了更好地理解其机制，我们将实验结果与具有无序边缘的此类缩颈的紧束缚模拟进行了比较。最后，我们结合这些新发现讨论了之前的实验。
引用
@article{arxiv.1406.5355,
title = {Characterizing wave functions in graphene nanodevices: electronic transport through ultrashort graphene constrictions on a boron nitride substrate},
author = {Dominik Bischoff and Florian Libisch and Joachim Burgdörfer and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5355},
year = {2015}
}