通过抑制反转畴实现N极性III族氮化物异质结构中的极性控制
应用物理
2022-12-02 v1
摘要
氮极性III族氮化物异质结构在高频和高功率应用方面优于金属极性结构。然而，由于非故意的极性反转畴(ID)，III族氮化物中的极性控制难以实现。在此，我们对通过热壁金属有机化学气相沉积在轴向和4°偏轴碳面4H-SiC (000ḡ)上生长的低温和高温AlN层的极性演化进行了兼具原子细节和热力学分析的综合结构研究。通过调节热力学Al过饱和度和衬底偏角，开发了极性控制策略，以实现所需的生长模式和极性。我们证明，在偏轴上实现台阶流生长模式时，高温AlN成核层中的反转畴被完全抑制。我们采用该方法展示了高质量的N极性外延AlGaN/GaN/AlN异质结构。
引用
@article{arxiv.2212.00458,
title = {Polarity control by inversion domain suppression in N-polar III-nitride heterostructures},
author = {Hengfang Zhang and Ingemar Persson and Jr. -Tai Chen and Alexis Papamichail and Dat Q. Tran and Per O. Å. Persson and Plamen P. Paskov and Vanya Darakchieva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.00458},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 6 figures