纳米级垂直有机半导体柱器件中的电荷输运
介观与纳米尺度物理
2017-01-16 v1
摘要
我们报道了包含超薄有机半导体聚(3-己基噻吩)（P3HT）层的纳米级垂直柱结构中的电荷输运测量。采用楔形转移轻柔地实现顶部接触，制备出厚度低至 5 nm 的 P3HT 层，由此得到高度可重复、稳健的纳米级结，其承载高电流密度（高达 A/m）。电流-电压数据建模显示出优异的空穴注入。该工作为面向高频和高电流密度工作的纳米级、超短沟道有机晶体管开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1701.03679,
title = {Charge transport in nanoscale vertical organic semiconductor pillar devices},
author = {Janine G. E. Wilbers and Bojian Xu and Peter A. Bobbert and Michel P. de Jong and Wilfred G. van der Wiel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.03679},
year = {2017}
}
备注
30 pages, 8 figures, 1 table