杂化无机-有机界面处的电荷转移
材料科学
2017-08-01 v1
摘要
有机掺杂剂常用于对无机半导体进行表面掺杂。由此产生的杂化无机-有机材料在先进功能材料和半导体器件中具有关键作用。在本文中，我们从理论上研究了杂化硅-分子界面处的电荷转移。其思路是筛选出最佳的分子受体，以高达1013 cm-2的空穴密度对硅进行掺杂。在此，我们采用一种组合算法，将化学硬度法与第一性原理DFT和GW计算相结合。我们首先使用简单快速的化学校硬度法缩小分子掺杂剂的搜索范围。然后，针对最乐观的候选者，我们进行第一性原理DFT计算，并讨论GW修正的必要性。这种筛选方法具有相当的通用性，可适用于其他杂化界面。
引用
@article{arxiv.1610.06247,
title = {Charge transfer at hybrid inorganic-organic interfaces},
author = {Xiaoming Wang and Keivan Esfarjani and Mona Zebarjadi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.06247},
year = {2017}
}