通过设计脉冲表面态调控金属-有机界面上的电荷转移
材料科学
2025-04-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
金属-有机界面决定了有机电子器件中关键过程。分子轨道（占据性最高能级和未占据性最低能级，HOMO 和 LUMO）在决定有机半导体薄膜内外电荷注入与收集过程中起着关键作用。本文表明，我们能够调节由电子受体 1,4,5,8,9,11-六氮仲季戊三烯六腈 (HATCN, C18N12) 吸附于 Cu(111) 上薄膜银箔的强相互作用界面系统中形成的界面电子结构。该层状金属系统上出现的厚度依赖性脉冲表面态与 LUMO 耦合，从而实现对相对于费米能级 (EF) 的电荷转移界面态能位置和填充数的精确控制。我们在保持分子薄膜结构的前提下调节界面电子结构的能力，代表着设计有机半导体界面结构的一个重要步骤。
引用
@article{arxiv.2504.05526,
title = {Tailoring Charge-Transfer at Metal-Organic Interfaces Using Designer Shockley Surface States},
author = {Anubhab Chakraborty and Oliver L. A. Monti},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.05526},
year = {2025}
}