有机 - 有机异质结中的能级排列：TTF-TCNQ 界面
材料科学
2012-07-17 v1
摘要
通过局域轨道 DFT 计算分析了构成 TTF-TCNQ 界面的两种有机材料的能级排列，并包含了针对两种材料相关输运能隙的适当修正。这些能隙是通过结合部分实验数据与我们关于 TTF_{HOMO} 和 TCNQ_{LUMO} 能级之差的计算结果来确定的。我们发现该界面具有金属性，正如近期实验所预测的那样，这是由于对应于这两个能级的态密度（Density of States）之间的重叠（及电荷转移）所致，表明控制 TTF-TCNQ 能级排列的主要机制是两种材料间的电荷转移。我们发现诱导界面偶极矩为 0.7 eV，与实验证据吻合良好。我们还分析了 TTF-TCNQ 界面的电子性质随 TCNQ 与 TTF 晶体之间外加偏压 \Delta 的变化，发现当 \Delta~0.5 eV 时存在从金属行为到绝缘体行为的转变。
引用
@article{arxiv.1207.3726,
title = {Energy Level Alignment in Organic-Organic Heterojunctions: The TTF-TCNQ Interface},
author = {Juan I. Beltrán and Fernando Flores and José I. Martínez and José Ortega},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3726},
year = {2012}
}