关联电子系统的界面：巨电致电阻的提出机制
强关联电子
2009-11-11 v2
摘要
我们通过密度矩阵重正化群（DMRG）研究了由于能带弯曲在界面处发生的Mott金属-绝缘体转变。我们表明，该结果可以通过对半导体异质结中使用的传统泊松方程方法进行简单修改来恢复。提出了一种巨电致电阻的新机制，该机制结合了更高维度中转变的滞回行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509050,
title = {Interfaces of correlated electron systems: Proposed mechanism for colossal electroresistance},
author = {Takashi Oka and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509050},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures, title changed