如何识别 Mott 临界性的普适特征？
强关联电子
2022-07-04 v2
摘要
在本文中，我们批判性讨论了若干显示相互作用驱动的金属–绝缘体 Mott（或 Wigner–Mott）型转变的二维电子系统实例，包括半导体中的稀二维电子气（2DEG）、Mott 有机材料，以及最近发现的过渡金属硫族化物（TMD）摩尔双层。在所有这些系统中发现了显著相似的行为，这开始勾勒出 Mott 临界性的稳健图像。最值得注意的是，在金属侧观察到电阻率极大值，其温度尺度在转变处消失。我们将这些系统上可用的实验数据与三种现有理论情景进行比较：自旋子理论、动力学平均场理论（DMFT）和渗流理论。我们表明，通过利用介电响应的分析研究电阻率极大值的起源，可以区分 Mott 临界性的 DMFT 与渗流图像。
引用
@article{arxiv.2206.02055,
title = {How to recognize the universal aspects of Mott criticality?},
author = {Yuting Tan and Vladimir Dobrosavljevic and Louk Rademaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.02055},
year = {2022}
}
备注
Contribution to Special Issue "New Spin on Metal-Insulator Transitions" in Crystals, Guest Editor: A. Pustogow