mTMD 双层结构中掺杂二维金属相的温度依赖电阻率
介观与纳米尺度物理
2022-10-11 v1
摘要
康奈尔和哥伦比亚的两个近期实验报道了在半填充附近掺杂诱导的二维（2D）摩尔过渡金属硫族化物（mTMD）中的绝缘体到金属转变，其中体系为莫特绝缘体。在当前工作中，我们考虑该掺杂情形下偏离半填充的金属相的温度依赖电阻率，论证其源于与随机淬灭带电杂质相关的强温度依赖的二维 Friedel 振荡（即有限动量屏蔽），从而导致金属相中观测到的强递增的线性于 的电阻率。我们的理论似乎解释了有效摩尔 TMD 能带半填充附近掺杂的金属电阻率的温度依赖性，表明温度依赖的屏蔽库仑无序是掺杂二维 mTMD 物理的一个基本要素。
引用
@article{arxiv.2206.10771,
title = {Temperature dependent resistivity in the doped two dimensional metallic phase of mTMD bilayers},
author = {Seongjin Ahn and Sankar Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10771},
year = {2022}
}
备注
5 pages, 3 figures