掺杂Mott绝缘体的坏金属行为

利用电导率 $\sigma$ 分解为电荷磁化率（压缩率）$\chi_c$ 与扩散常数 $D$ 的能斯特-爱因斯坦分解 $\sigma=e^2\chi_c D$，我们认为在高温与轻掺杂绝缘体区域中 $\sigma$ 的坏金属行为主要由 $\chi_c$ 强烈的温度和掺杂依赖性主导。特别地，我们展示了在小掺杂下 $\chi_c$ 如何随温度升高而强烈地趋向未掺杂绝缘体值，并讨论了一个简单图像，该图像导致与温度呈线性的电阻率，其前缀因子随掺杂空穴浓度 ($p$) 的减小而反比增大，即 $\rho\propto T/p$。另一方面，在相应区域中 $D$ 表现出微弱的温度和掺杂依赖性。我们通过典型二维Hubbard模型的数值结果支持我们的论点，并从实验角度详细讨论了所提出的图像。