坏金属行为揭示掺杂 Hubbard 模型中的 Mott 量子临界性
强关联电子
2015-06-26 v2
摘要
坏金属（BM）行为表现为电阻率随温度线性变化，并延伸至远高于 Mott-Ioffe-Regel（MIR）极限的范围，常被视为强关联效应尚未解决的关键特征之一。在此，我们通过考察一个完全阻挫的 Hubbard 模型，将 BM 行为与 Mott 量子临界性联系起来；在该模型中，所有长程磁序均被抑制，且 Mott 问题可通过动力学平均场理论严格求解。我们表明，在掺杂 Mott 绝缘体区域，共存圆顶及相关的 Mott 金属 - 绝缘体一级相变被限制在极低的温度下，而 Mott 量子临界性的清晰信号则出现在相图的大部分区域。我们识别出整个电阻率曲线族具有显著的标度行为，其量子临界区域覆盖了整个 BM 区域，这不仅提供了深刻的见解，也对 MIR 极限周围的现象给出了定量理解，与现有实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1412.7960,
title = {Bad-metal behavior reveals Mott quantum criticality in doped Hubbard models},
author = {J. Vucicevic and D. Tanaskovic and M. Rozenberg and V. Dobrosavljevic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7960},
year = {2015}
}
备注
5+6 pages