金属中Mott-Ioffe-Regel极限的普适性
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们从光导率测量的角度，批判性地审视了许多强关联金属（包括高温超导体）中电阻率饱和的缺失。我们发现，相干准粒子电导（以零频为中心的Drude峰形式）在平均自由程（在 = 0处）变得与原子间距相当时消失。这种在所谓的Mott-Ioffe-Regel（MIR）极限处的基本相干性丧失表明，即使在强电子关联存在的情况下，MIR判据的普适性仍然保持。我们认为，由强关联效应引起的低频谱权重的转移，是所有所谓的“坏金属”中观察到的电阻率随温度升高而持续正斜率的主要根源。此外，与那些在高温下表现出电阻率饱和的金属一样，从光谱中提取的散射率本身在MIR极限一致的值处饱和。我们考虑了这种散射率上限可能对我们在各种坏金属中理解输运的影响，并提出了一种更好的分析其光响应的方法。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404263,
title = {Universality of the Mott-Ioffe-Regel limit in metals},
author = {N. E. Hussey and K. Takenaka and H. Takagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404263},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 3 tables, 2 figures