掺杂 Hubbard 模型中的奇异金属性
强关联电子
2019-11-26 v2
摘要
奇异或坏金属输运，以其与传统准粒子图像的不相容为特征，是强关联材料的共同主题，并普遍存在于许多高温超导体中。Hubbard 模型是建模强关联系统的最小起点。此处我们利用行列式量子蒙特卡洛计算证明了掺杂二维 Hubbard 模型中的奇异金属输运。在宽泛的掺杂范围内，我们观测到超过 Mott-Ioffe-Regel 极限且具线性温度依赖的电阻率。我们的计算温度低至非相互作用带宽的 1/40，使我们的发现处于与实验观测奇异金属性相关的简并 regime。我们的结果为将奇异金属理论与强关联材料模型相联系提供了基础。
引用
@article{arxiv.1806.08346,
title = {Strange metallicity in the doped Hubbard model},
author = {Edwin W. Huang and Ryan Sheppard and Brian Moritz and Thomas P. Devereaux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.08346},
year = {2019}
}