掺杂 Mott-Hubbard 材料的简易金属 - 绝缘体判据
强关联电子
2015-06-23 v2
摘要
我们推导出了适用于掺杂 Mott-Hubbard 材料的解析形式简易金属 - 绝缘体判据。其读数与单胞基态的轨道和自旋性质密切相关。顺磁相中可用的判据读数（金属或绝缘体）指出了具有禁戒首移除电子态的掺杂材料处于绝缘态的可能性。就其物理意义而言，该结果类似于巡游电子系统中的 Wilson 判据。文中讨论了该判据在高温超导铜氧化物中的应用。
引用
@article{arxiv.1411.1149,
title = {A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials},
author = {V. A. Gavrichkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1149},
year = {2015}
}