掺杂关联能带绝缘体：通往半金属行为的新途径
强关联电子
2015-06-16 v1
摘要
我们在一简单模型中证明了一个令人惊讶的结果：在掺杂能带绝缘体中开启在位库仑相互作用 U 会导致半金属态的形成。在未掺杂系统中，我们表明增加 U 会在有限值 U_{AF} 处导致顺磁能带绝缘体与反铁磁 Mott 绝缘体之间的一阶相变。掺杂后，系统在 U_{AF} 两侧的宽范围掺杂浓度和相互作用强度下表现出半金属亚铁磁性。我们基于动力学平均场理论的结果提出了一条通往半金属行为的新途径，并为自旋电子学新材料的实验提供了动力。
引用
@article{arxiv.1307.2693,
title = {Doping a correlated band insulator: A new route to half metallic behaviour},
author = {Arti Garg and H. R. Krishnamurthy and Mohit Randeria},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.2693},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures