莫尔过渡金属硫族化物多层膜中无序诱导的二维金属-绝缘体转变
介观与纳米尺度物理
2022-04-25 v2
摘要
我们基于环境中的库仑无序作为基本机制，为最近在二维（2D）莫尔多层过渡金属硫族化物（mTMD）中观测到的金属-绝缘体转变（MIT）建立了一个最小理论。特别地，随机带电杂质对载流子的散射导致了一个近似由 Ioffe-Regel 判据控制的有效二维 MIT，这在定性上与实验一致。我们发现需要约 -cm 的随机带电杂质，才能定量解释两个不同实验组所报道的观测 MIT 现象学中的大部分（但非全部）。我们的估计与 TMDs 中已知的无序含量一致。
引用
@article{arxiv.2108.07271,
title = {Disorder induced 2D metal-insulator transition in moir\'e transition metal dichalcogenide multilayers},
author = {Seongjin Ahn and Sankar Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07271},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 3 figures + supplementary material (2 pages)