绝缘体-金属 Mott 转变中无序诱导的幂律能隙
强关联电子
2018-10-17 v1
摘要
位于绝缘体-金属转变（IMT）附近的关联材料展现出丰富的现象学与多种有趣相。在 Mott 绝缘体中诱导 IMT 的常见途径是掺杂，这不可避免地导致无序。虽然众所周知无序会产生电子不均匀性，近期的理论研究指出，它可能在控制 Mott 体系性质方面扮演出人意料且深远得多的角色。理论预言，无序可能在驱动 Mott 绝缘体跨越 IMT 中起作用，涌现的金属态在费米能处具有态密度的幂律抑制（指数接近 1；V 形能隙）。此类 V 形能隙已在 Mott 体系中被观测到，但其起源尚不清楚。为研究此问题，我们使用扫描隧道显微镜与谱学来研究 Sr(IrRu)O 中等价 Ru 替代，其将体系驱动至反铁磁金属态。我们的实验揭示，IMT 的许多核心特征，如幂律态密度、费米能随无序增加被钉扎、以及反铁磁性的持续，可理解为近 IMT 无序 Mott 体系的普适特征，并表明 V 形能隙可能是掺杂 Mott 绝缘体中无序的必然结果。
引用
@article{arxiv.1810.06688,
title = {Disorder induced power-law gaps in an insulator-metal Mott transition},
author = {Zhenyu Wang and Yoshinori Okada and Jared O'Neal and Wenwen Zhou and Daniel Walkup and Chetan Dhital and Tom Hogan and Patrick Clancy and Young-June Kim and Y. F. Hu and Luiz H. Santos and Stephen D. Wilson and Nandini Trivedi and Vidya Madhavan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06688},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 4 figures; A new version can be find in PNAS