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关联与无序系统中金属 - 绝缘体相变的维度和温度依赖性

强关联电子 2015-05-13 v2

摘要

我们利用具有确定性无序的二维 ttt-t' 无序 Hubbard 模型,研究了半满填充条件下二维系统中关联与无序相互作用的维度依赖性,涵盖了零温和有限温情况。在不包含无序时引入 tt' 会导致在半满填充下低于某个临界值 UU 时出现金属相;高于该临界值 UcU_c 时,关联有利于反铁磁相。由于无序导致低能位点出现双占据,Hubbard UU 与无序之间的竞争促使金属相涌现,这可通过计算 Kubo 电导率、半满填充能隙、态密度、自旋序参量、逆参与比 (IPR) 和带宽来量化。我们通过遵循斐波那契数列的确定性无序,以一种非常新颖的方式研究了无序对系统的影响。不同参数的行为在从二维系统过渡到准一维系统时显示出有趣的特征。

关键词

引用

@article{arxiv.0803.2420,
  title  = {Dimensional and temperature dependence of metal insulator transition in correlated and disordered systems},
  author = {Tribikram Gupta and Sanjay Gupta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0803.2420},
  year   = {2015}
}

备注

6 Pages, 16 figures