金属-莫特绝缘体界面整流抑制的非平衡格林函数方法
强关联电子
2009-04-27 v2
摘要
先前通过含时薛定谔方程的数值解和实际器件实验已显示金属-莫特绝缘体界面处的整流抑制,本文利用非平衡格林函数从理论上重新研究了该现象。采用一维哈伯德模型描述莫特绝缘体。将附着金属电极的影响纳入自能中。在模型中添加了源于功函数差并满足泊松方程的标量势。对于电子密度,我们将其分解为三部分:一部分是通过将局域态密度积分到电极化学势中点得到的;另外两部分是通过积分小于格林函数得到的,它们源于与电极的耦合,对应于电子的流入和流出。在莫特绝缘体中,入射电子和空穴扩展至整个系统,避免了相对于无偏压情况下的进一步电荷积累。这引发了集体电荷输运,并导致整流抑制。
引用
@article{arxiv.0902.4766,
title = {Nonequilibrium Green's-Function Approach to the Suppression of Rectification at Metal--Mott-Insulator Interfaces},
author = {Kenji Yonemitsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.4766},
year = {2009}
}
备注
18 pages, Figs. 1(b), 2, and 8 replaced. Corrected typos