强磁涨落诱导的Mott绝缘体中Hubbard带与格林函数零点的相互重整化
强关联电子
2024-02-19 v2
摘要
我们分析了空间电子关联，特别是Mott绝缘体中的磁涨落的作用。使用先进的图解非微扰方法，在二维正方晶格上求解了大排斥U下的半填充Hubbard模型，该方法能够超越Hartree-Fock和单站点动力学平均场理论。我们表明，在高温下磁涨落很弱，系统的电子自能主要是局域的，并且可以通过原子（Hubbard-I）近似很好地再现。当温度降低到低温磁有序相时，自能的非局域性在确定Hubbard带的动量色散和格林函数零点方面变得至关重要。因此，我们在Luttinger面、非局域关联和Hubbard带的谱性质之间建立了精确的联系。
引用
@article{arxiv.2402.02814,
title = {Interconnected Renormalization of Hubbard Bands and Green's Function Zeros in Mott Insulators Induced by Strong Magnetic Fluctuations},
author = {Evgeny A. Stepanov and Maria Chatzieleftheriou and Niklas Wagner and Giorgio Sangiovanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.02814},
year = {2024}
}