两轨道Mott绝缘体中的Lutting定理失效
强关联电子
2009-11-11 v3
摘要
对Lutting定理的分析表明，与最近的一些论点相反，对于一般性的Mott绝缘体该定理并不成立。对于两个电子每格点上的两轨道 Hubbard 模型，研究了从非磁性相关绝缘相（Mott 或 Kondo 绝缘体）向带绝缘体的横截面。Mott 绝缘相由自能的极大点和对应的格林函数中的零点构成，其定义的“Lutting 表面”在带绝缘体中不存在。尽管如此，具有两个电子每胞元的绝缘体的基态是等轨道连接的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602656,
title = {Breakdown of Luttinger's theorem in two-orbital Mott insulators},
author = {A. Rosch},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602656},
year = {2009}
}
备注
published version, some formulations changed