无对称性破缺的Mott绝缘体的残余熵
强关联电子
2012-08-03 v2
摘要
我们通过近藤晶格理论（即1/D展开理论）研究D维超立方晶格上Hubbard模型在半填充时的基态，但限制在禁止对称性破缺的希尔伯特子空间中。单粒子激发谱中能隙打开当且仅当残余熵或T=+0 K时的熵非零。无对称性破缺的Mott绝缘体（如果存在）的特征是残余熵或T=+0 K时的熵非零。该结论与Brinkman-Rice理论和动力学平均场理论一致。另一方面，根据基于Bethe-ansatz解的著名论证，一维半填充基态是Mott绝缘体，但其每原胞残余熵在热力学极限下为零。对于本文与著名论证之间的矛盾，给出了两种可能的解释。
引用
@article{arxiv.1203.3576,
title = {Residual Entropy of the Mott Insulator with No Symmetry Broken},
author = {Fusayoshi J. Ohkawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3576},
year = {2012}
}
备注
27 pages