动力学平均场理论中Bethe格点上Mott-Hubbard绝缘体的强耦合方法
强关联电子
2015-05-20 v1
摘要
我们计算了具有无限配位数的Bethe格点上半填充Hubbard模型的Hubbard能带，计算阶数达到逆Hubbard相互作用的三阶。我们采用Kato-Takahashi微扰理论，解析求解了多链几何中单杂质Anderson模型的动力学平均场理论自洽方程。次级Hubbard子带的权重为四阶，因此双链几何足以满足我们的研究需求。即使在接近Mott-Hubbard相变时，我们的Mott-Hubbard能隙结果也与数值动力学密度矩阵重正化群（DDMRG）计算结果非常吻合。下Hubbard能带的态密度也与DDMRG数据高度一致，但上能带边缘的共振贡献除外，该贡献无法在低阶微扰理论中重现。
引用
@article{arxiv.1009.4100,
title = {Strong-coupling approach to the Mott--Hubbard insulator on a Bethe lattice in Dynamical Mean-Field Theory},
author = {Daniel Ruhl and Florian Gebhard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4100},
year = {2015}
}
备注
40 pages, 7 figures