一维 Kondo 绝缘体模型的平均场方法辅以 Bethe ansatz 解
强关联电子
2023-07-20 v1
摘要
在半填充的一维 Kondo 与对称 Anderson 晶格模型框架下，研究了 Kondo 绝缘体（KI）。平均场方法的一致应用与 Bethe ansatz 求解相结合，使我们得以接近 KI 基态问题的求解。研究表明，在 场中，电子与局域磁矩在每个格点上形成单态。该场导致一种在位相互作用，电子在其上发生散射。在 Kondo 链中，Kondo 绝缘体类似于 Hubbard 链中的 Mott 绝缘体。所提方法的优势在于可对任意交换相互作用常数求解该问题。在 Anderson 晶格中，能带电子间的间接在位相互作用是吸引的，这使得我们能为真实化合物中的高 超导提出一种新机制。
引用
@article{arxiv.2307.09957,
title = {Mean field approach plus the Bethe ansatz solution of one dimensional models of Kondo insulator},
author = {Igor N. Karnaukhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.09957},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 2 figures