Mott 绝缘相附近及内部电子-声子耦合的影响
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
在接近 Mott 跃迁的金属相和绝缘 Mott 相中，研究了 Holstein-Hubbard 模型中电子-声子相互作用的作用。该模型通过变分奴隶玻色子技术进行研究。在半填充时，平均场静态量与数值技术获得的结果吻合良好。通过考虑高斯涨落，在 Mott 绝缘相中推导出谱密度的解析表达式，表明电子-声子耦合的增加通过降低有效排斥作用导致 Mott 隙的显著减小。讨论了这些结果与强关联系统中近期实验观测的关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412243,
title = {Effects of the electron-phonon coupling near and within the insulating Mott phase},
author = {C. A. Perroni and V. Cataudella and G. De Filippis and V. Marigliano Ramaglia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412243},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures