非Perturbative电子-声子耦合的有效增强机制
强关联电子
2026-03-31 v2
摘要
我们对非Perturbative电子机制进行了均场研究，这些机制可能显著增强相关电子系统中的电子-声子耦合。通过分析电子关联对最低阶电子-声子过程的影响，显示在掺杂方格 Hubbard 模型的金属-绝缘体转变附近，其中等温电荷响应在小动量下尤为显著时，电子与晶格的耦合显著增强。此结果显著修正电子自能和声子中介配对相互作用，表明即使裸电子-声子耦合较小，晶格与电子自由度之间也可能出现强烈相互作用。
引用
@article{arxiv.2503.12113,
title = {Effective enhancement of the electron-phonon coupling driven by nonperturbative electronic density fluctuations},
author = {Emin Moghadas and Matthias Reitner and Tim Wehling and Giorgio Sangiovanni and Sergio Ciuchi and Alessandro Toschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.12113},
year = {2026}
}