45° YBa2Cu3O7晶界处的电子态与自掺杂
材料科学
2009-05-05 v1
摘要
晶界处的电荷再分布决定了高温超导体在电子器件中的适用性，因为跨晶粒的输运可能受到显著阻碍。我们通过第一性原理计算，研究了YBa2Cu3O7中（常态）45°倾斜[001]晶界附近的局域电荷转移和电子态修饰。我们的结果定量解释了受抑制的界面输运以及晶界掺杂的影响，与实验情况一致。发现电荷再分布是强烈不均匀的，这对输运性质有显著影响，因为它导致每个Cu原子产生0.10 (± 0.02)个空穴的自掺杂。
引用
@article{arxiv.0905.0341,
title = {Electronic states and self-doping at a 45^o YBa2Cu3O7 grain boundary},
author = {U. Schwingenschloegl and C. Schuster},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.0341},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures