脉冲缺陷对欠掺杂和过掺杂 cuprate 中 Tc 的普遍抑制

我们报告了对引入CuO$_{2}$平面缺陷影响 cuprate 中 Tc 的研究，涵盖广泛的空穴掺杂范围n。对YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$和Tl$_{2}$Ba$_{2}$CuO$_{6+x}$单晶进行了T$_{c}$和电阻率 $\rho (T)$ 测量。发现所有 investigated样本之间T$_{c}$减小与 $\UNICODE[m]{0x394}\rho_{2D}\UNICODE[m]{0xd7}n$之间存在普适尺度关系，其中 $\UNICODE[m]{0x394}\rho _{2D}$ 是由缺陷引起的二维电阻增加。该结果表明n是描述相图中transport性质的相关参数，与最近一次建议在optimal掺杂处载流子数从n变为1-n的观察相矛盾。此外，我们的数据分析表明，即使在过掺杂侧，强散射仍然存在。