具有面外缺陷的铜氧化物中的Tc抑制和电阻率
超导电性
2009-11-13 v2
摘要
最近通过电子辐照和化学替代在最佳掺杂铜氧化物超导体中引入受控无序的实验发现，临界温度Tc的抑制速率与剩余电阻率的增加之间存在不寻常的行为。我们在此表明，意外发现的面外杂质引起的Tc抑制速率比面内杂质更强，可以通过一致计算Tc和电阻率来解释，如果假设势散射近似为前向性质的话。对于现实的杂质势模型，我们进一步表明，对于面外杂质，可以预期与普遍的Abrikosov-Gor'kov Tc抑制行为存在显著偏差。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703635,
title = {Tc suppression and resistivity in cuprates with out of plane defects},
author = {S. Graser and T. Dahm and P. J. Hirschfeld and L. -Y. Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703635},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures