金属性铜氧化物电阻率回升的理论
超导电性
2009-10-26 v1
摘要
我们提出，通过适当考虑强关联金属宿主中无序效应，可以解释实验观测到的铜氧化物在低温下的电阻率回升。在非均匀无限制哈特里-福克近似下处理哈伯德模型，并使用实空间对角化计算直流电导率时，我们发现关联效应会在杂质周围诱导出磁滴，并产生额外的磁散射，从而导致电阻率回升。态密度中的赝能隙被证明会增强无序诱导的磁态以及电阻率回升。
引用
@article{arxiv.0905.1449,
title = {Theory of Resistivity Upturns in Metallic Cuprates},
author = {W. Chen and Brian M. Andersen and P. J. Hirschfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1449},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 7 figures, submitted to PRB