铜化合物中的无规性与传输：弱局域化与磁性贡献

我们报告了对 underdoped YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6.6}$ 和过掺杂 Tl$_{2}$Ba$_{2}$CuO$_{6+x}$ 单晶的电阻率测量，这些单晶中 CuO$_{2}$ 平面的缺陷浓度通过电子辐照控制。对于缺陷含量较大的样品，在低温可观察到电阻率的上升。对于 Tl 化合物，导电率的下降符合弱局域化理论的预期。在 YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6.6}$ 中，低温电阻率的 much larger 贡献与缺陷含量成正比，可能与 Kondo 类似的自旋翻转散射项有关。这与由无自旋缺陷诱导的磁性结果一致。