空穴掺杂铜氧化物中T线性电阻率的二分性
超导电性
2009-12-11 v1 强关联电子
摘要
通过分析LaSrCuO的面内电阻率，我们表明过掺杂铜氧化物中的正常态输运可划分为两个电阻率随温度近似线性变化的区域。在低温极限下，T-线性电阻率延伸至非常宽的掺杂范围，这与传统量子临界场景的预期形成鲜明对比。该T-线性电阻率的系数与超导转变温度成比例，意味着导致这种反常散射的相互作用也与超导配对机制有关。在高温下，T-线性电阻率的系数在超过临界掺杂 = 0.19后基本与掺杂无关，在该临界点两个系数的比值达到最大。根据早期的热力学和光电子发射测量结果，我们推断，在处正常态赝能隙的打开是由低温下反节点准粒子相干性的丧失所驱动的。
引用
@article{arxiv.0912.2001,
title = {Dichotomy in the $T$-linear resistivity in hole-doped cuprates},
author = {N. E. Hussey and R. A. Cooper and Xiaofeng Xu and Y. Wang and B. Vignolle and C. Proust},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2001},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 4 figures, to appear in Special Theme Issue of Phil. Trans. Roy. Soc. A