欠掺杂高温铜氧化物超导体c轴直流电导率的普适标度
超导电性
2015-05-20 v1
摘要
在欠掺杂高温铜氧化物超导体(HTCS)中，“类金属”的面内直流电导率和“类半导体”的面外(c轴)直流电导率(σc)共存，产生了巨大的各向异性，这挑战了我们当前对金属的理解。在本报告中，我们提出了σc的本征掺杂依赖性。我们发现，欠掺杂HTCS的σc可以普适地标度到最佳掺杂空穴浓度下的σc。这种普适标度行为表明，有三个本征过程对σc有贡献：(i) 依赖于掺杂的激活能隙；(ii) 指数掺杂依赖性；以及(iii) 相邻CuO2阻挡层之间的隧穿。这些是所有HTCS的c轴输运的基本内在特征。
引用
@article{arxiv.1010.0833,
title = {Universal scaling of c-axis dc conductivity for the underdoped hightemperature cuprate superconductors},
author = {Tatsuya Honma and Pei-Herng Hor},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0833},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures. Accepted for the publication in Solid State Communications