高Tc超导体中的c轴流动响应与准导电态

C. Panagopoulos; J. R. Cooper; T. Xiang; Y. S. Wang; C. W. Chu

doi:10.1103/PhysRevB.61.R3808

高Tc超导体中的c轴流动响应与准导电态

超导电性 2009-10-31 v1 强关联电子

作者: C. Panagopoulos , J. R. Cooper , T. Xiang , Y. S. Wang , C. W. Chu

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摘要

为了洞察高Tc超导体的垂直电动力学，我们测量了两种典型单层高Tc氧化物 La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$ 和 HgBa $_2$ CuO $_{4+x}$ 的c轴磁渗透深度 $\lambda_c(T)$ 的绝对值及其随温度的变化。我们观察到 $\lambda_c$ 在0.20空穴/Cu附近行为发生明显变化，这与准导电态的开启有关。 $\lambda_c$ 随掺杂的变化方式与平面分量 $\lambda_{ab}$ 类似，这表明c轴的流动响应主要由超导凝聚能决定。对于 p<0.20 时 $\lambda_c(0)$ 的显著掺杂依赖为我们解释了文献中存在的差异提供了说明。

关键词

渗透深度准导电态高Tc超导体 c轴响应超导凝聚

引用

@article{arxiv.cond-mat/9911116,
  title  = {c-Axis Superfluid Response and Pseudogap in High-Tc Superconductors},
  author = {C. Panagopoulos and J. R. Cooper and T. Xiang and Y. S. Wang and C. W. Chu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9911116},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 2 figures

高Tc超导体中的c轴流动响应与准导电态

摘要

关键词

引用

备注

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