Underdoped 铜氧化物超导体中正常态伪gap对光导率的影响

T. Dahm; D. Manske; L. Tewordt

doi:10.1103/PhysRevB.60.14888

Underdoped 铜氧化物超导体中正常态伪gap对光导率的影响

超导电性 2009-10-31 v1

作者: T. Dahm , D. Manske , L. Tewordt

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们计算了在铜氧化物超导体中对c轴红外导电率 $\sigma_c(\omega)$ 的响应，考虑了在CuO $_2$ 平面内的自旋涡流交换散射，并包括挥发d 型伪gap幅度 $E_g$ 。当温度下降到一个温度 $T^* \sim E_g/2$ 以下时，在不可协同(稀疏)传输极限下， $\sigma_c(\omega)$ 中在 $\omega < 2E_g$ 处出现一个gap。电阻呈现出'半导体'行为，即在 $E_g=0$ 时常温以上电阻增加。我们发现，铜氧化物超导体中平面光导率的伪gap结构约为c轴导电率 $\sigma_c(\omega)$ 的两倍，这与实验结果在定性上一致。这源于当伪gap开启后，自旋涡流交换相互作用在低频下被抑制。虽然在欠掺杂 regime下c轴导电率最好地由不可协同传输来描述，但在过掺杂 regime下则用协同电导来描述效果更好。

关键词

欠掺杂铜氧化物超导体光导率伪gap 自旋涡流交换 c轴导电率

引用

@article{arxiv.cond-mat/9909219,
  title  = {Effect of a Normal-State Pseudogap on Optical Conductivity in Underdoped Cuprate Superconductors},
  author = {T. Dahm and D. Manske and L. Tewordt},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909219},
  year   = {2009}
}

备注

to be published in Phys. Rev. B (November 1, 1999)

Underdoped 铜氧化物超导体中正常态伪gap对光导率的影响

摘要

关键词

引用

备注

相关论文