掺杂诱导无序对高 Tc 超导体过渡温度的影响
超导电性
2009-10-31 v2 强关联电子
摘要
我们研究了掺杂诱导无序对高 Tc 超导体过渡温度的影响。由于杂质位于 CuO 平面之间，动量传递受到小角度的限制，其范围约为 ，其中 为费米动量， 为平面与杂质之间的距离。我们发现，此情况下对过渡温度的主要修正项为 的三次方次级，而单粒子散射速率则与 成线性比例。因此，我们得出结论，掺杂诱导的无序对 的影响相对较小，但可能导致较大的单粒子散射速率。我们通过使用在 optimally doped Bi2212 上近期角谱光子发射谱学数据中观察到的单粒子散射速率 ()，计算出 的降低约为 。还讨论了小角散射对其他物理量（如输运性质）的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008434,
title = {Effect of Doping-induced Disorder on Transition Temperature in High $T_c$ Cuprates},
author = {Hae-Young Kee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008434},
year = {2009}
}
备注
4 pages